단계별 단면도 시각화로 공정의 흐름과 불량 원인을 직관적으로 학습하세요. 면접 대비 핵심 포인트까지 한번에.
산화 → 리소그래피 → 이온주입 → 게이트 형성까지 트랜지스터가 만들어지는 전 과정
커패시터 + 트랜지스터로 구성되는 DRAM 셀의 형성 과정과 전기적 특성
웨이퍼 다이싱부터 와이어 본딩, 몰딩, 마킹까지 최종 제품이 완성되는 과정
ONO 적층 → 채널홀 식각 → 워드라인 치환까지, 수직으로 쌓는 3D 낸드 셀의 제조 전 과정.
TSV 식각 → Cu 충전 → 다이 적층 → 인터포저(CoWoS) 통합까지, AI 시대 핵심 메모리의 제조 과정.
파라미터를 직접 조작하면 물리 모델로 결과가 실시간 계산됩니다. 산화·주입·리소·식각·CVD·CMP·Id-Vg·TDDB·수율·DRAM·NAND·HBM 12종.
반도체에 쓰이는 핵심 이론을 직접 실험. 페르미-디랙 분포·에너지밴드·PN접합·MOS C-V를 파라미터로 탐구.
ASML·AMAT·Lam·TEL·KLA… 공정 단계별 장비사 점유율(수직 구조)과 각 기업 제품의 특징·장점.