위로 갈수록 빠르지만 비싸고 작고, 아래로 갈수록 느리지만 싸고 큽니다. 컴퓨터는 이 계층을 조합해 속도와 비용을 절충합니다.
레지스터Register~1 nsCPU 내부, 가장 빠름
캐시 (SRAM)Cache1~5 nsCPU 캐시 L1/L2/L3
주메모리 (DRAM)Main Memory50~100 ns실행 중 데이터
저장장치 (NAND SSD)Storage수십 µs비휘발성 대용량
HDD / 테이프Archivems~대용량 보관
휘발성 vs 비휘발성
휘발성 (Volatile)
전원이 꺼지면 데이터가 사라짐. 대신 빠름. → SRAM, DRAM, HBM
비휘발성 (Non-volatile)
전원이 꺼져도 데이터 유지. 저장장치용. → NAND, NOR Flash, ROM
제품별 상세
탭을 눌러 각 제품의 셀 구조·특징·장단점을 확인하세요.
DRAMDynamic RAM휘발성
컴퓨터의 "작업 책상" — 빠르고 큰 주메모리
셀 구조: 1T1C (트랜지스터 1 + 커패시터 1)
DRAM은 커패시터에 담긴 전하의 유무로 0과 1을 구분합니다. 셀이 트랜지스터 1개 + 커패시터 1개로 매우 단순해 같은 면적에 가장 많은 비트를 담을 수 있어 "주메모리"로 쓰입니다. 다만 전하가 시간이 지나면 새기 때문에 수십 ms마다 데이터를 다시 써넣는 리프레시가 필요하고, 전원이 꺼지면 모든 데이터가 사라집니다. DDR(PC·서버)·LPDDR(모바일)·GDDR(그래픽)·HBM(AI)으로 용도가 갈리며 삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 세계 시장을 과점합니다.
특징
▸커패시터에 전하로 0/1 저장 → 전원 꺼지면 사라짐(휘발성)
▸전하가 새므로 주기적 재충전(Refresh, ~64ms) 필요
▸셀이 작아 고집적·저비용 → PC·서버 메인 메모리
▸제품: DDR5, LPDDR(모바일), GDDR(그래픽), HBM(AI)
장점
✓ 높은 집적도(대용량)
✓ SRAM보다 싸다
✓ 읽기/쓰기 균형
단점
✕ 휘발성(전원 OFF 시 소멸)
✕ Refresh로 대기전력
✕ SRAM보다 느림
주 용도 PC/서버 메인 메모리, 모바일 RAM, 그래픽 카드
공정 ↔ 제품 연결
어떤 공정이 어떤 제품을 만드는지 — 클릭하면 해당 공정 모듈로 이동합니다.
한눈에 비교
제품
휘발성
속도
집적도
비트당 비용
주 용도
SRAM
휘발성
★★★★★
★
매우 높음
캐시
DRAM
휘발성
★★★★
★★★
중간
메인 메모리
HBM
휘발성
★★★★ (초광대역)
★★★
높음
AI 가속기
NAND
비휘발성
★★
★★★★★
낮음
대용량 저장
NOR
비휘발성
★★ (랜덤읽기↑)
★★
높음
코드 저장
ROM/EEPROM
비휘발성
★★
★
높음
펌웨어·설정
eMMC
비휘발성
★★ (NAND+Ctrl)
★★★★
낮음
보급형 모바일
UFS
비휘발성
★★★ (전이중)
★★★★
중간
플래그십 모바일
★ 많을수록 빠름/집적도 높음 (상대 비교). 제품군마다 세대·공정에 따라 수치는 달라집니다.