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공정 파라미터
슬라이더를 움직이면 Deal-Grove 모델로 산화막 두께가 실시간 계산됩니다.
산화 분위기 (Ambient)
Dry O₂
막질↑ 속도↓
Wet H₂O
속도↑↑ 막질↓
온도 (Temperature)
?
1,000 °C
시간 (Time)
?
60 min
DEAL-GROVE 방정식
t
ox
² + A·t
ox
= B(t+τ)
⚠
RESULT · MARGINAL
조건부 / 주의
산화막 두께
54.2 nm
Si 소모량
23.8 nm
분위기
Dry O₂
1
산화막 두께 (SiO₂)
54.2
nm
소모된 실리콘
23.8
nm
= 0.44 × t_ox
실시간 단면도 (성장 시각화)
원래 표면
Si Substrate
SiO₂ 54.2 nm
O₂ @ 1000°C
성장 곡선: 두께 vs 시간 (현재 온도 1000°C)
0
42
85
127
169
시간 (min) →
두께 (nm)
0
75
150
225
300
초기 선형(반응 제한) → 후기 포물선(확산 제한) 성장
공정 평가 & 진단
⚠
두꺼운 산화막 (0.05µm) — 필드 산화막(소자분리) 수준.