패키징과 검사 — 열이 나가는 길을 만든다
와이어 본딩과 플립칩, 적층의 차이를 열저항 관점에서 봅니다. 소비 전력과 방열 조건이 접합 온도를 어떻게 정하는지 계산합니다.
패키지 조립과 방열
자동 재생 · 방식과 방열 조건 조절자동 재생 · 드래그로 회전
웨이퍼에서 잘라 낸 12 mm 각 다이를 기판에 붙입니다. 이때 쓰는 접착제나 솔더가 이미 열이 빠져나가는 첫 번째 통로가 됩니다.
다이가 붉어지는 정도는 접합 온도를, 위로 올라가는 화살표는 방열 경로를 나타내는 표현입니다.
패키지 조건
방식을 바꾸면 처음부터 다시 재생합니다
이 조건에서 감당 가능한 전력은 20.0 W입니다.
플립칩 — 다이를 뒤집어 범프로 바로 붙입니다. 면 전체를 단자로 쓸 수 있고 경로가 짧아 고속·고전력에 유리합니다.
열저항 체인
주위 온도에서 시작해 각 구간이 온도를 얹습니다
계산 결과
- 다이→케이스 θjc
- 0.45 °C/W
- 케이스→공기 θca
- 2.80 °C/W
- 접합 온도 Tj
- 88.8 °C
- 한계까지 여유
- 16.3 °C
- 단자 배치
- 면 전체 (area array)
- 연결 인덕턴스
- 0.06 nH
- 허용 전력
- 20.0 W
- 판정
- 양호
다이가 붉어지는 정도가 접합 온도입니다. 플립칩과 와이어 본딩, 적층을 번갈아 보며 열이 빠져나가는 길이 어떻게 달라지는지 확인해 보세요.
웨이퍼에서 잘라 낸 칩은 그대로 쓸 수 없습니다. 손톱만 한 실리콘 조각에 바깥세상과 이어질 단자를 달고, 습기와 충격에서 보호하고, 무엇보다 열이 빠져나갈 길을 만들어 줘야 합니다. 이것이 패키징이고, 오늘날에는 공정만큼이나 성능을 좌우합니다.
가장자리인가, 면 전체인가
와이어 본딩은 가는 금선으로 다이 가장자리의 패드와 기판을 잇습니다. 오래되고 저렴하지만 단자를 가장자리에만 둘 수 있어 개수가 다이 한 변의 길이에 비례합니다. 선이 길어 인덕턴스도 큽니다.
플립칩은 다이를 뒤집어 아랫면 전체에 깔린 솔더 범프로 바로 붙입니다. 단자 수가 면적에 비례해 제곱으로 늘고, 경로가 짧아 기생 성분이 20분의 1 수준입니다. 게다가 다이 뒷면이 위로 노출되어 열을 빼기에도 훨씬 유리합니다. 시뮬레이션에서 두 방식의 θjc가 10배 이상 차이 나는 것을 확인해 보세요.
열은 저항을 타고 흐른다
열 문제는 전기 회로와 똑같이 다룹니다. 전력이 전류, 온도차가 전압, 열저항이 저항입니다.
다이에서 케이스까지의 θjc는 패키지 구조가 정하고, 케이스에서 공기까지의 θca는 방열 설계가 정합니다. 접합 온도 Tj가 한계를 넘으면 성능을 스스로 낮추거나(thermal throttling) 수명이 급격히 줄어듭니다. 앞서 본 TDDB와 일렉트로마이그레이션 모두 온도에 지수적으로 민감했던 것을 떠올려 보세요.
마지막 관문
패키징이 끝나면 실제 동작 속도와 온도 조건에서 전수 검사를 합니다. 웨이퍼 상태에서 미리 거르고(EDS), 패키지 후 다시 거르고(파이널 테스트), 초기 불량을 미리 태워 없애기도 합니다(번인). 여기서 놓친 불량은 그대로 고객에게 가고, 그 비용은 공정에서 잡았을 때보다 훨씬 큽니다.
시뮬레이션은 개념 이해를 위한 단순화된 모델입니다. 수치와 두께·크기는 설명을 위해 과장했고 실제 소자·공정의 TCAD 결과가 아닙니다.