Semiconductor process
웨이퍼가 칩이 되기까지,
움직이는 단면으로 보기
반도체 공정·소자와 전력 계통을 3D 시뮬레이션으로 직접 움직여 보며 이해하는 기술 노트입니다.
① 게이트가 꺼져 있을 때
지금 재생 중
MOSFET 동작
게이트 전압을 올리면 표면에 채널이 열리고, 전자가 소스에서 드레인으로 흐르다가 드레인 쪽에서 핀치오프됩니다. 모든 시뮬레이션은 이렇게 재생·정지·탐색할 수 있고, 값을 직접 바꿔 볼 수도 있습니다.
Catalog
공정 순서대로 보는 시뮬레이션
웨이퍼 제조
1단위 공정
502 7분
산화
온도와 분위기를 바꾸면 산화막이 어떤 속도로 자라는지, 그리고 왜 실리콘이 함께 먹히는지를 Deal-Grove 모델로 재생해 봅니다.
Deal-Grove게이트 산화막선형·포물선
03 9분
포토
파장과 개구수가 그릴 수 있는 최소 선폭을 정하고, 노광량과 초점이 실제 선폭을 정합니다. 마스크에서 현상까지를 3D로 재생합니다.
레일리NA초점심도
04 8분
식각
소스 파워는 속도를, 바이어스 파워는 방향을 정합니다. 두 파워를 따로 움직이며 이방성과 언더컷, 선택비가 어떻게 맞물리는지 봅니다.
RIE이방성언더컷
05 8분
증착
PVD부터 ALD까지 단차 피복률이 다른 이유와, 입구가 먼저 막혀 보이드가 생기는 과정을 종횡비를 바꿔 가며 확인합니다.
CVDALD단차 피복
06 9분
이온 주입
이온을 가속해 실리콘에 심고, 열처리로 결정을 복구하며 도펀트를 활성화하는 공정을 에너지·도즈·온도를 바꿔 가며 재생해 봅니다.
이온 주입어닐링접합 깊이
배선 · 패키징
3소자 동작
2메모리 소자
2다른 분야
전기 · 송변전
전기가 만들어져 전달되기까지