SEMI LAB개념을 눈으로 보는 공학 시뮬레이션
08공정 82026-09-20

CMP — 갈아서 평평하게 만든다

층을 쌓으려면 먼저 평평해야 합니다. 압력과 속도가 제거율을 정하고, 너무 갈면 디싱과 에로전이 생기는 과정을 봅니다.

Preston평탄화디싱에로전
FIG. 01

CMP 평탄화

자동 재생 · 압력과 패드 조절

자동 재생

단계 1/5
① 증착 직후 — 울퉁불퉁한 표면

증착한 막은 아래 패턴을 그대로 따라가 500 nm의 단차가 남습니다. 이 상태로는 다음 포토 공정에서 초점이 맞지 않고, 다음 층을 쌓을 수도 없습니다.

00:00 / 00:16
연마 패드연마할 금속막절연막

왼쪽은 배선이 조밀한 영역, 오른쪽은 넓은 패턴입니다. 조밀한 쪽에는 에로전이, 넓은 쪽에는 디싱이 생깁니다.

평탄화율
93%
디싱 (넓은 패턴 60 µm)
32nm
에로전 (패턴 밀도 50%)
9nm

연마 조건

값을 바꾸면 처음부터 다시 재생합니다

4.0 psi

제거율 304 nm/min

0.60 m/s
90 초
500 nm
60 µm

넓을수록 가운데가 더 파입니다(디싱).

50 %

실리카산화막 연마의 표준. 무난하지만 선택비가 낮습니다.

시간에 따른 단차와 결함

단차가 사라진 뒤부터 디싱과 에로전이 자랍니다

제거율 (Kp·P·V)
304 nm/min
총 제거량
455 nm
남은 단차
37 nm
오버폴리시 비중
15 %
슬러리 선택비
4 : 1
판정
양호

왼쪽은 배선이 조밀한 영역, 오른쪽은 넓은 패턴입니다. 평탄해진 뒤에도 계속 갈면 각각 에로전과 디싱이 생깁니다.

앞서 본 배선은 한 층으로 끝나지 않습니다. 10층이 넘게 쌓아 올리는데, 그러려면 매 층이 끝날 때마다 표면이 거울처럼 평평해야 합니다. 아래가 울퉁불퉁하면 다음 포토 공정에서 초점이 맞지 않고(앞서 본 초점심도를 떠올려 보세요), 증착한 막도 그 굴곡을 그대로 따라갑니다.

화학과 기계를 함께 쓴다

CMP는 이름 그대로 화학기계를 함께 씁니다. 슬러리 속 화학 성분이 표면을 무르게 만들고, 연마 입자와 패드가 그것을 물리적으로 긁어냅니다. 둘 중 하나만으로는 안 됩니다. 화학만 쓰면 사방이 고르게 녹아 단차가 그대로 남고, 기계만 쓰면 긁힘이 생깁니다.

제거율은 압력과 상대 속도의 곱에 비례합니다.

RR = Kp · P · V  (Preston 식)

왜 평평해지는가

여기서 중요한 것은 패드가 볼록한 곳에 먼저, 더 세게 닿는다는 점입니다. 압력이 높은 곳이 빨리 깎이니 높은 곳부터 사라지고, 단차는 시간에 따라 지수적으로 줄어듭니다. 경질 패드일수록 이 힘의 쏠림이 커서 평탄화가 빠릅니다.

다 갈고 나서가 문제다

평평해진 뒤에도 계속 갈면 새로운 문제가 시작됩니다. 재료마다 갈리는 속도가 다르기 때문입니다.

  • 디싱 — 넓은 금속 패턴은 가운데가 움푹 파입니다. 구리가 주변 절연막보다 무르고, 패드가 넓은 영역 가운데로 눌려 들어가기 때문입니다. 패턴이 넓을수록 심해집니다.
  • 에로전 — 배선이 조밀한 영역은 금속과 절연막이 번갈아 있어 전체적으로 무르게 행동합니다. 그래서 그 영역 전체가 주변보다 더 깎여 내려앉습니다.

시뮬레이션에서 넓은 패턴 폭과 패턴 밀도를 바꿔 가며 두 결함이 어떻게 갈리는지 보세요. 경질 패드는 평탄화에 좋지만 에로전이 심해지고, 연질 패드는 디싱이 심해집니다. 정답이 없는 절충입니다.

어디서 멈출 것인가

갈다가 어디서 멈추느냐도 문제입니다. 시간으로만 제어하면 편차가 큽니다. 그래서 잘 안 갈리는 정지막을 아래에 깔아 두고, 슬러리의 선택비를 높여 그 막에서 자연스럽게 속도가 떨어지게 만듭니다. 세리아 슬러리가 질화막에 대해 높은 선택비를 갖는 것이 그런 예입니다.

시뮬레이션은 개념 이해를 위한 단순화된 모델입니다. 수치와 두께·크기는 설명을 위해 과장했고 실제 소자·공정의 TCAD 결과가 아닙니다.